型号 | SI2300DS-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 30V SOT-23 |
SI2300DS-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI2300DS-T1-GE3 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 68 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 320pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | SI2300DS-T1-GE3DKR |